檢測項目 | 覆蓋產(chǎn)品 | 檢測能力 | 參考標(biāo)準(zhǔn) | |||
功率循環(huán)試驗(pc) | igbt模塊 | δtj=100℃ 電壓電流大1800a 12v | iec 客戶自定義 | |||
高溫反偏試驗(htrb) | mosfet、igbt、diode、bjt、scr,第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 | 溫度高150℃; 電壓高2000v | 美軍標(biāo),國標(biāo),jedec,iec,aec,客戶自定義等 | |||
高溫門極試驗(htgb) | mosfet、sic mos等單管器件 | 溫度高150℃; 電壓高2000v | 美軍標(biāo),國標(biāo),jedec,iec,aec,客戶自定義等 | |||
高溫工作壽命試驗(htol) | mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 | 溫度高150℃ 電壓高2000v | 美軍標(biāo),國標(biāo),jedec,iec,aec,客戶自定義等 | |||
低溫工作壽命試驗(ltol) | mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 | 溫度低-80℃ 電壓高2000v | 美軍標(biāo),國標(biāo),jedec,iec,aec,客戶自定義等 | |||
高溫儲存試驗(htsl) | mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、igbt模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 | 溫度高150℃; | 美軍標(biāo),國標(biāo),jedec,iec,aec,客戶自定義等 | |||
低溫儲存試驗(ltsl) | mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、igbt模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 | 溫度低-80℃ | 美軍標(biāo),國標(biāo),jedec,iec,aec,客戶自定義等 | |||
高溫高濕試驗(thb) | mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、igbt模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 | 溫度高180℃ 濕度范圍:10%~98% | 美軍標(biāo),國標(biāo),jedec,iec,aec,客戶自定義等 | |||
高低溫循環(huán)試驗(tc) | mosfet、igbt、idiode、bjt、scr、ic、igbt模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 | 溫度范圍:-80℃~220℃ | 美軍標(biāo),國標(biāo),jedec,iec,aec,客戶自定義等 | |||
間歇壽命試驗(iol)功率循環(huán)試驗(pc) | mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 | δtj≧100℃ 電壓電流大48v,10a | 美軍標(biāo),國標(biāo),jedec,iec,aec,客戶自定義等 | |||
穩(wěn)態(tài)功率試驗(ssol) | mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 | δtj≧100℃ 電壓電流大48v,10a | 美軍標(biāo),國標(biāo),jedec,iec,aec,客戶自定義等 | |||
高加速應(yīng)力試驗(hast) | mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 | 溫度130℃/110℃ 濕度85% | 美軍標(biāo),國標(biāo),jedec,iec,aec,客戶自定義等 | |||
*無偏壓的高加速應(yīng)力試驗(uhast) | mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 | 溫度130℃ 濕度85% | 美軍標(biāo),國標(biāo),jedec,iec,aec,客戶自定義等 | |||
高溫蒸煮試驗(pct) | mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 | 溫度121℃ 濕度 | 美軍標(biāo),國標(biāo),jedec,iec,aec,客戶自定義等 | |||
預(yù)處理試驗(pre-con) | 所有smd類型器件 | 設(shè)備滿足各個等級的試驗要求 | 美軍標(biāo),國標(biāo),jedec,iec,aec,客戶自定義等 | |||
潮氣敏感度等級試驗(msl) | 所有smd類型器件 | 設(shè)備滿足各個等級的試驗要求 | 美軍標(biāo),國標(biāo),jedec,iec,aec,客戶自定義等 | |||
*可焊性試驗(solderability) | mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 | 有鉛、無鉛均可進(jìn)行 | 美軍標(biāo),國標(biāo),jedec,iec,aec,客戶自定義等 |
第三代半導(dǎo)體器件測試分析實驗室
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主營:長禾實驗室專注于功率半導(dǎo)體器件的動、靜態(tài)參數(shù)檢測、可靠性檢測、失效分析、溫循試驗、熱阻測試等領(lǐng)域的技術(shù)服務(wù)。業(yè)務(wù)范圍主要涉及國內(nèi)軌道交通、風(fēng)力發(fā)電、科研單位、院所、工業(yè)控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽車等行業(yè)。也是第三代半導(dǎo)體(寬禁帶半導(dǎo)體)應(yīng)用解決方案服務(wù)商。 |
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