功率循環(huán)試驗(yàn)（pc）

igbt模塊

δtj=100℃ 電壓電流大1800a 12v

iec 客戶(hù)自定義

高溫反偏試驗(yàn)（htrb）

mosfet、igbt、diode、bjt、scr，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

溫度高150℃； 電壓高2000v

美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，jedec，iec，aec,客戶(hù)自定義等

高溫門(mén)極試驗(yàn)（htgb）

mosfet、sic mos等單管器件

溫度高150℃； 電壓高2000v

美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，jedec，iec，aec,客戶(hù)自定義等

高溫工作壽命試驗(yàn)（htol）

mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

溫度高150℃ 電壓高2000v

美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，jedec，iec，aec,客戶(hù)自定義等

低溫工作壽命試驗(yàn)（ltol）

mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

溫度低-80℃ 電壓高2000v

美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，jedec，iec，aec,客戶(hù)自定義等

高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)（htsl）

mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、igbt模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品

溫度高150℃；

美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，jedec，iec，aec,客戶(hù)自定義等

低溫儲(chǔ)存試驗(yàn)（ltsl）

mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、igbt模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品

溫度低-80℃

美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，jedec，iec，aec,客戶(hù)自定義等

高溫高濕試驗(yàn)（thb）

mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、igbt模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品

溫度高180℃ 濕度范圍：10%~98%

美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，jedec，iec，aec,客戶(hù)自定義等

高低溫循環(huán)試驗(yàn)（tc）

mosfet、igbt、idiode、bjt、scr、ic、igbt模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品

溫度范圍：-80℃~220℃

美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，jedec，iec，aec,客戶(hù)自定義等

間歇壽命試驗(yàn)（iol）功率循環(huán)試驗(yàn)（pc）

mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

δtj≧100℃ 電壓電流大48v，10a

美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，jedec，iec，aec,客戶(hù)自定義等

穩(wěn)態(tài)功率試驗(yàn)（ssol）

mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

δtj≧100℃ 電壓電流大48v，10a

美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，jedec，iec，aec,客戶(hù)自定義等

高加速應(yīng)力試驗(yàn)（hast）

mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品

溫度130℃/110℃ 濕度85%

美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，jedec，iec，aec,客戶(hù)自定義等

*無(wú)偏壓的高加速應(yīng)力試驗(yàn)（uhast）

mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品

溫度130℃ 濕度85%

美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，jedec，iec，aec,客戶(hù)自定義等

高溫蒸煮試驗(yàn)（pct）

mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品

溫度121℃ 濕度

美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，jedec，iec，aec,客戶(hù)自定義等

預(yù)處理試驗(yàn)（pre-con）

所有smd類(lèi)型器件

設(shè)備滿(mǎn)足各個(gè)等級(jí)的試驗(yàn)要求

美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，jedec，iec，aec,客戶(hù)自定義等

潮氣敏感度等級(jí)試驗(yàn)（msl）

所有smd類(lèi)型器件

設(shè)備滿(mǎn)足各個(gè)等級(jí)的試驗(yàn)要求

美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，jedec，iec，aec,客戶(hù)自定義等

*可焊性試驗(yàn)（solderability）

mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

有鉛、無(wú)鉛均可進(jìn)行

美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，jedec，iec，aec,客戶(hù)自定義等