檢測項目 | 覆蓋產(chǎn)品 | 檢測能力 | 參考標(biāo)準(zhǔn) |
直流參數(shù) | mosfet、igbt、diode等模塊產(chǎn)品; | 檢測大電壓:7500v 檢測大電流:6000a | 國標(biāo),iec |
雪崩能量 | mosfet、igbt、diode,第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 | 檢測大電壓:2500v 檢測大電流:200a | 美軍標(biāo) |
柵極電阻 | mosfet、igbt及第三代半導(dǎo)體器件 | 檢測阻抗:0.1ω~50ω | jedec |
開關(guān)時間 | mosfet、igbt、diode及第三代半導(dǎo)體單管器件; | 檢測大電壓:1200v 檢測大電流:200a | 美軍標(biāo),國標(biāo),iec等 |
開關(guān)時間 | igbt等模塊產(chǎn)品 | 檢測大電壓:2700v 檢測大電流:4000a | 國標(biāo),iec |
反向恢復(fù) | mosfet、igbt、diode及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 | 檢測大電壓:1200v 檢測大電流:200a | 美軍標(biāo),國標(biāo),iec等 |
反向恢復(fù) | igbt等模塊產(chǎn)品 | 檢測大電壓:2700v 檢測大電流:4000a | 國標(biāo),iec |
柵極電荷 | mosfet、igbt、diode及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 | 檢測大電壓:1200v 檢測大電流:200a | 美軍標(biāo),國標(biāo),iec等 |
柵極電荷 | igbt等模塊產(chǎn)品 | 檢測大電壓:2700v 檢測大電流:4000a | 國標(biāo),iec |
短路耐量能力 | mosfet、igbt、diode及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 | 檢測大電壓:1200v 檢測大電流:1000a | 美軍標(biāo),國標(biāo),iec等 |
短路耐量能力 | igbt等模塊產(chǎn)品 | 檢測大電壓:2700v 檢測大電流:10000a | 國標(biāo),iec |
結(jié)電容 | mosfet、igbt及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 | 檢測大電壓:3000v | iec |
參數(shù)曲線掃描 | mosfet、igbt、diode、bjt、scr,第三代半導(dǎo)體器件等單管器件的i-v、c-v曲線 | 檢測大電壓:3000v 檢測大電流:1500a 溫度:-70°c~180°c | 美軍標(biāo),iec等 |
熱阻性能 | mosfet、igbt、diode、bjt、scr,第三代半導(dǎo)體器件等單管產(chǎn)品 | 大功率:250w | 美軍標(biāo),jedec |
熱阻性能 | igbt等模塊產(chǎn)品 | 大功率:4000w | 美軍標(biāo),jedec |
esd能力 | mosfet、igbt、ic等產(chǎn)品 | hbm大電壓:8000v;mm大電壓:800v | 美軍標(biāo),ansi,jedec等 |
*正向浪涌能力 | diode(si/sic)、整流橋 | 檢測大電流:800a | 美軍標(biāo),國標(biāo) |
元器件電參數(shù)測試分析實驗室
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主營:長禾實驗室專注于功率半導(dǎo)體器件的動、靜態(tài)參數(shù)檢測、可靠性檢測、失效分析、溫循試驗、熱阻測試等領(lǐng)域的技術(shù)服務(wù)。業(yè)務(wù)范圍主要涉及國內(nèi)軌道交通、風(fēng)力發(fā)電、科研單位、院所、工業(yè)控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽車等行業(yè)。也是第三代半導(dǎo)體(寬禁帶半導(dǎo)體)應(yīng)用解決方案服務(wù)商。 |
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