直流參數(shù)

mosfet、igbt、diode等模塊產(chǎn)品；

檢測(cè)大電壓：7500v 檢測(cè)大電流：6000a

國(guó)標(biāo)，iec

雪崩能量

mosfet、igbt、diode，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

檢測(cè)大電壓：2500v 檢測(cè)大電流：200a

美軍標(biāo)

柵極電阻

mosfet、igbt及第三代半導(dǎo)體器件

檢測(cè)阻抗：0.1ω～50ω

jedec

開(kāi)關(guān)時(shí)間

mosfet、igbt、diode及第三代半導(dǎo)體單管器件；

檢測(cè)大電壓：1200v 檢測(cè)大電流：200a

美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，iec等

開(kāi)關(guān)時(shí)間

igbt等模塊產(chǎn)品

檢測(cè)大電壓：2700v 檢測(cè)大電流：4000a

國(guó)標(biāo)，iec

反向恢復(fù)

mosfet、igbt、diode及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

檢測(cè)大電壓：1200v 檢測(cè)大電流：200a

美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，iec等

反向恢復(fù)

igbt等模塊產(chǎn)品

檢測(cè)大電壓：2700v 檢測(cè)大電流：4000a

國(guó)標(biāo)，iec

柵極電荷

mosfet、igbt、diode及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

檢測(cè)大電壓：1200v 檢測(cè)大電流：200a

美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，iec等

柵極電荷

igbt等模塊產(chǎn)品

檢測(cè)大電壓：2700v 檢測(cè)大電流：4000a

國(guó)標(biāo)，iec

短路耐量能力

mosfet、igbt、diode及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

檢測(cè)大電壓：1200v 檢測(cè)大電流：1000a

美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，iec等

短路耐量能力

igbt等模塊產(chǎn)品

檢測(cè)大電壓：2700v 檢測(cè)大電流：10000a

國(guó)標(biāo)，iec

結(jié)電容

mosfet、igbt及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件

檢測(cè)大電壓：3000v

iec

參數(shù)曲線掃描

mosfet、igbt、diode、bjt、scr，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件的i-v、c-v曲線

檢測(cè)大電壓：3000v 檢測(cè)大電流：1500a 溫度：-70°c~180°c

美軍標(biāo)，iec等

熱阻性能

mosfet、igbt、diode、bjt、scr，第三代半導(dǎo)體器件等單管產(chǎn)品

大功率：250w

美軍標(biāo)，jedec

熱阻性能

igbt等模塊產(chǎn)品

大功率：4000w

美軍標(biāo)，jedec

esd能力

mosfet、igbt、ic等產(chǎn)品

hbm大電壓：8000v；mm大電壓：800v

美軍標(biāo)，ansi，jedec等

*正向浪涌能力

diode（si/sic）、整流橋

檢測(cè)大電流：800a

美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)