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西安長禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司功率器件測試實驗室(簡稱長禾實驗室)位于西安市高新技術(shù)經(jīng)濟開發(fā)區(qū)，是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體器件測試服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)，是國家cnas 認(rèn)可實驗室，屬于國家大功率器件測試服務(wù)中心。
長禾實驗室擁有尖端的系統(tǒng)設(shè)備、專業(yè)的技術(shù)團隊和完善的服務(wù)體系。實驗室現(xiàn)有的測試儀器設(shè)備100余臺套，專業(yè)測試人員20余名。我們緊跟國際國內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)，以客戶需求為導(dǎo)向，不斷創(chuàng)新服務(wù)項目和檢測技術(shù)，借助便利的服務(wù)網(wǎng)絡(luò)，為合作伙伴提供優(yōu)質(zhì)高效的技術(shù)服務(wù)。
長禾實驗室專注于功率半導(dǎo)體器件的動、靜態(tài)參數(shù)檢測、可靠性檢測、失效分析、溫循試驗、熱阻測試等領(lǐng)域的技術(shù)服務(wù)。業(yè)務(wù)范圍主要涉及國內(nèi)軌道交通、風(fēng)力發(fā)電、科研單位、工業(yè)控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽車等行業(yè)。也是第三代半導(dǎo)體（寬禁帶半導(dǎo)體）應(yīng)用解決方案服務(wù)商。
長禾實驗室秉承創(chuàng)新務(wù)實的經(jīng)營理念，為客戶提供優(yōu)質(zhì)的服務(wù)、完善的解決方案及全方位的技術(shù)支持；同時注重與行業(yè)企業(yè)、高校和科研院所的合作與交流，測試技術(shù)與服務(wù)水平不斷提升。
檢測項目 | 覆蓋產(chǎn)品 | 檢測能力 | 參考標(biāo)準(zhǔn) | |||
功率循環(huán)試驗（pc） | igbt模塊 | δtj=100℃ 電壓電流大1800a 12v | iec 客戶自定義 | |||
高溫反偏試驗（htrb） | mosfet、igbt、diode、bjt、scr，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 | 溫度高150℃； 電壓高2000v | 美軍標(biāo)，國標(biāo)，jedec，iec，aec,客戶自定義等 | |||
高溫門極試驗（htgb） | mosfet、sic mos等單管器件 | 溫度高150℃； 電壓高2000v | 美軍標(biāo)，國標(biāo)，jedec，iec，aec,客戶自定義等 | |||
高溫工作壽命試驗（htol） | mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 | 溫度高150℃ 電壓高2000v | 美軍標(biāo)，國標(biāo)，jedec，iec，aec,客戶自定義等 | |||
低溫工作壽命試驗（ltol） | mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 | 溫度低-80℃ 電壓高2000v | 美軍標(biāo)，國標(biāo)，jedec，iec，aec,客戶自定義等 | |||
高溫儲存試驗（htsl） | mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、igbt模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 | 溫度高150℃； | 美軍標(biāo)，國標(biāo)，jedec，iec，aec,客戶自定義等 | |||
低溫儲存試驗（ltsl） | mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、igbt模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 | 溫度低-80℃ | 美軍標(biāo)，國標(biāo)，jedec，iec，aec,客戶自定義等 | |||
高溫高濕試驗（thb） | mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、igbt模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 | 溫度高180℃ 濕度范圍：10%~98% | 美軍標(biāo)，國標(biāo)，jedec，iec，aec,客戶自定義等 | |||
高低溫循環(huán)試驗（tc） | mosfet、igbt、idiode、bjt、scr、ic、igbt模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 | 溫度范圍：-80℃~220℃ | 美軍標(biāo)，國標(biāo)，jedec，iec，aec,客戶自定義等 | |||
間歇壽命試驗（iol）功率循環(huán)試驗（pc） | mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 | δtj≧100℃ 電壓電流大48v，10a | 美軍標(biāo)，國標(biāo)，jedec，iec，aec,客戶自定義等 | |||
穩(wěn)態(tài)功率試驗（ssol） | mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 | δtj≧100℃ 電壓電流大48v，10a | 美軍標(biāo)，國標(biāo)，jedec，iec，aec,客戶自定義等 | |||
高加速應(yīng)力試驗（hast） | mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 | 溫度130℃/110℃ 濕度85% | 美軍標(biāo)，國標(biāo)，jedec，iec，aec,客戶自定義等 | |||
*無偏壓的高加速應(yīng)力試驗（uhast） | mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 | 溫度130℃ 濕度85% | 美軍標(biāo)，國標(biāo)，jedec，iec，aec,客戶自定義等 | |||
高溫蒸煮試驗（pct） | mosfet、diode、bjt、igbt及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 | 溫度121℃ 濕度 | 美軍標(biāo)，國標(biāo)，jedec，iec，aec,客戶自定義等 | |||
預(yù)處理試驗（pre-con） | 所有smd類型器件 | 設(shè)備滿足各個等級的試驗要求 | 美軍標(biāo)，國標(biāo)，jedec，iec，aec,客戶自定義等 | |||
潮氣敏感度等級試驗（msl） | 所有smd類型器件 | 設(shè)備滿足各個等級的試驗要求 | 美軍標(biāo)，國標(biāo)，jedec，iec，aec,客戶自定義等 | |||
*可焊性試驗（solderability） | mosfet、igbt、diode、bjt、scr、ic、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 | 有鉛、無鉛均可進行 | 美軍標(biāo)，國標(biāo)，jedec，iec，aec,客戶自定義等 | |||
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