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第三方功率半導體器件測試服務中心長禾實驗室

供應商：: 西安長禾半導體技術有限公司 進入商鋪
所在分類：: 儀表 - 電工儀器儀表 - 參數(shù)測試儀器
報價：: 電訊
品牌: 長禾
所在地：: 西安市高新區(qū)錦業(yè)路69號創(chuàng)新商務公寓1號樓10310室
聯(lián)系電話：: 17792031711
手機：: 17792551832
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聯(lián)系人：: 蒲辰

詳細介紹

西安長禾半導體技術有限公司功率器件測試實驗室(簡稱長禾實驗室)位于西安市高新技術經濟開發(fā)區(qū)，是一家專業(yè)從事功率半導體器件測試服務的高新技術企業(yè)，是國家cnas 認可實驗室，屬于國家大功率器件測試服務中心。

長禾實驗室擁有尖端的系統(tǒng)設備、專業(yè)的技術團隊和完善的服務體系。實驗室現(xiàn)有的測試儀器設備100余臺套，專業(yè)測試人員20余名。我們緊跟國際國內標準，以客戶需求為導向，不斷創(chuàng)新服務項目和檢測技術，借助便利的服務網絡，為合作伙伴提供優(yōu)質高效的技術服務。

長禾實驗室專注于功率半導體器件的動、靜態(tài)參數(shù)檢測、可靠性檢測、失效分析、溫循試驗、熱阻測試等領域的技術服務。業(yè)務范圍主要涉及國內軌道交通、風力發(fā)電、科研單位、工業(yè)控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽車等行業(yè)。也是第三代半導體（寬禁帶半導體）應用解決方案服務商。

長禾實驗室秉承創(chuàng)新務實的經營理念，為客戶提供優(yōu)質的服務、完善的解決方案及全方位的技術支持；同時注重與行業(yè)企業(yè)、高校和科研院所的合作與交流，測試技術與服務水平不斷提升。

長禾實驗室檢測能力范圍
1	功率金屬氧化物場效應管	1	漏源間反向擊穿電壓	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3407.1	只測： -3.5kv～3.5kv
		1	漏源間反向擊穿電壓	半導體分立器件試驗方法 gjb 128a-1997 3407	只測： -3.5kv～3.5kv
		2	通態(tài)電阻	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3421.1	只測： 0～10k?,,0～1500a
		3	閾值電壓	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3404	只測： -10v～10v
		4	漏極反向電流	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3415.1	只測： -100ma～100ma
		5	柵極漏電流	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3411.1	只測： -100ma～101ma
		6	體二極管壓降	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 4011.4	只測： 0a～1500a
		7	跨導	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3475.2	只測： 1ms～1000s
		8	開關時間	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3472.2	只測： vd：5v～3.3kv， id：100ma～1500a
		9	開關時間	半導體分立器件試驗方法 gjb 128a-1997 3472	只測： vd：5v～3.3kv， id：100ma～1500a
		10	體二極管反向恢復時間	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3473.1	只測： 10ns～2μs
		11	體二極管反向恢復電荷	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3473.1	只測： 1nc～100μc
		12	柵極電荷	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3471.3	只測： qg：0.5nc～500nc
		13	單脈沖雪崩能量	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3470.2	只測： l：0.01mh～159.9mh， ias：0.1a～1500a
		14	柵極串聯(lián)等效電阻	功率mosfet柵極串聯(lián)等效電阻測試方法 jesd24-11:1996(r2002)	只測： 0.1ω～50ω
		15	穩(wěn)態(tài)熱阻	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3161.1	只測： ph：0.1w～250w
		16	穩(wěn)態(tài)熱阻	半導體分立器件試驗方法 gjb 128a-1997 3161	只測： ph：0.1w～250w
		17	輸入電容	半導體器件分立器件第8部分：場效應晶體管 iec 60747-8:2010 6.3.10	只測： -3kv～3kv,0～1mhz
		18	輸出電容	半導體器件分立器件第8部分：場效應晶體管 iec 60747-8:2010 6.3.11	只測： -3kv～3kv,0～1mhz
		19	反向傳輸電容	半導體器件分立器件第8部分：場效應晶體管 iec 60747-8:2010 6.3.12	只測： -3kv～3kv,0～1mhz
		20	老煉試驗	半導體分立器件試驗方法 gjb 128a-1997 1042	只測：條件a、條件b， vdsmax：3500v， tjmax：200℃
		21	老煉試驗	溫度，反偏和操作壽命試驗 jesd22-a108f:2017	只測： htrb和htgb試驗
		22	間歇功率試驗	半導體分立器件試驗方法 gjb 128a-1997 1042	只測：條件d（間歇功率）
		23	穩(wěn)態(tài)功率試驗	半導體分立器件試驗方法 gjb 128a-1997 1042	只測：條件c（穩(wěn)態(tài)功率）
2	二極管	1	反向漏電流	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 4016.4	只測： 0～100ma
		1	反向漏電流	半導體分立器件試驗方法 gjb 128a-1997 4016	只測： 0～100ma
		2	反向擊穿電壓	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 4021.2	只測： 0～3.5kv
		3	正向壓降	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 4011.4	只測： is：0a～6000a
		3	正向壓降	半導體分立器件試驗方法 gjb 128a-1997 4011	只測： is：0a～6000a
		4	浪涌電流	半導體分立器件試驗方法 gjb 128a-1997 4066	只測： if：0a～9000a
		5	反向恢復電荷	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3473.1	只測： 1nc～100μc
		5	反向恢復時間	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3473.1	只測： 10ns～2us
		6	二極管反壓變化率	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3476	只測： vr：5v～3300v， if：1a～1500a
		7	單脈沖雪崩能量	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 4064	只測： l：0.01mh～159.9mh， ias：0.1a～1500a
		7	穩(wěn)態(tài)熱阻	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3136	只測： ph：0.1w～80w
		8	總電容電荷	半導體器件分立器件和集成電路第2部分:整流二極管 iec 60747-2:2016 6.1.8	只測： -3kv～3kv,0～1mhz
		9	結電容	半導體器件分立器件和集成電路第2部分:整流二極管 iec 60747-2:2016 6.1.8	只測： -3kv～3kv,0～1mhz
3	晶閘管	1	門極觸發(fā)電流	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 4221.1	只測： 100na～500ma
		2	門極觸發(fā)電壓	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 4221.1	只測： 5mv～5v
		3	維持電流	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 4201.2	只測： 10μa～1.5a
		4	擎住電流	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 4201.2	只測： 10μa～1.5a
		5	浪涌電流	半導體測試方法測試標準 jb/t 7626-2013	只測： itsm：0a～9000a
		6	正向漏電流	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 4206.1	只測： 1na～100ma
		7	反向漏電流	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 4211.1	只測： 1na～100ma
		8	正向導通壓降	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 4226.1	只測： it：0～6000a
		9	穩(wěn)態(tài)熱阻	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3181	只測： ph：0.1w～250w
4	晶體管	1	直流增益	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3076.1	只測： 1～50000
		2	集射極飽和壓降	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3071	只測： 0～1250a
		3	集射電極關態(tài)電流	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3041.1	只測： 0～100ma
		4	集基電極關態(tài)電流	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3036.1	只測： 0～100ma
		5	射基極關態(tài)電流	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3061.1	只測： 0～100ma
		6	集射極反向擊穿電壓	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3011.2	只測： -3.5kv～3.5kv
		6	集射極反向擊穿電壓	半導體分立器件試驗方法 gjb 128a-1997 3011	只測： -3.5kv～3.5kv
		7	集基極反向擊穿電壓	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3001.1	只測： -3.5kv～3.5kv
		8	射基極反向擊穿電壓	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3026.1	只測： -3.5kv～3.5kv
		9	基射極電壓	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3066.1	只測： 0v～1250a
		10	穩(wěn)態(tài)熱阻	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3131.6	只測： ph：0.1w～250w
5	絕緣柵雙極型晶體管	1	集射間反向擊穿電壓	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3407.1	只測： -3.5kv～3.5kv
		1	集射間反向擊穿電壓	半導體分立器件試驗方法 gjb 128a-1997 3407	只測： -3.5kv～3.5kv
		2	通態(tài)電壓	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3405.1	只測： 0～1500a
		3	通態(tài)電阻	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3421.1	只測： 0～10k?
		4	集電極反向漏電流	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3415.1	只測： 0～100ma
		5	柵極漏電流	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3411.1	只測： 0～100ma
		6	跨導	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3475.2	只測： 1ms～1000s
		7	開關時間&損耗	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3477.1	只測： vd：5v～3.3kv， id：0.5a～1500a
		7	開關時間&損耗	半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管 iec 60747-9:2007 6.3.11,6.3.12	只測： 5v～3.3kv
		8	短路耐受時間	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3479	只測： isc：10a～5000a ， tsc：1us～50us
		8	短路耐受時間	半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管 iec 60747-9:2007 6.2.6	只測： 5v～3.3kv
		9	柵極電荷	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3471.3	只測： qg：0.5nc～100uc
		9	柵極電荷	半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管 iec 60747-9:2007 6.3.9	只測： 5v～3.3kv
		10	二極管反向恢復時間	半導體器件分立器件第2部分：整流二極管 iec 60747-2:2016 6.1.6	只測： 5v～3.3kv
		11	單脈沖雪崩能量	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3470.2	只測： l：0.01mh～159.9mh， ias：0.1a～1500a
		12	柵極串聯(lián)等效電阻	功率mosfet柵極串聯(lián)等效電阻測試方法 jesd24-11:1996(r2002)	只測： 0.1ω～50ω
		13	穩(wěn)態(tài)熱阻	半導體測試方法測試標準 mil-std-750f:2012 3103	只測： ph：0.1w～250w
		16	輸入電容	半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管 iec 60747-9:2007 6.3.6	只測： -3kv～3kv,0～1mhz
		17	輸出電容	半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管 iec 60747-9:2007 6.3.7	只測： -3kv～3kv,0～1mhz
		18	反向傳輸電容	半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管 iec 60747-9:2007 6.3.8	只測： -3kv～3kv,0～1mhz
		19	大反偏安全工作區(qū)	半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管 iec 60747-9:2007 6.2.5	只測： 5v～3.3kv
6	通用電子產品	1	高低溫循環(huán)試驗	半導體分立器件試驗方法 gjb 128a-1997 1051	只測：溫度： -80℃～150℃，容積： 40cm×37.5cm×40cm
		1	高低溫循環(huán)試驗	溫度循環(huán) jesd22-a104e:2014	只測：溫度： -80℃～150℃，容積： 40cm×37.5cm×40cm
		2	高溫試驗	微電子器件試驗方法和程序 gjb 548b-2005 1008.1	只測：高溫度：200℃，容積： 61cm×90cm×60cm
				半導體分立器件試驗方法 gjb 128a-1997 1031, 1032	只測：高溫度：200℃，容積： 61cm×90cm×60cm
				電工電子產品環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗b：高溫 gb/t 2423.2-2008	只測：高溫度：200℃，容積： 61cm×90cm×60cm
		3	低溫試驗	電工電子產品環(huán)境試驗第2部分：試驗方法試驗a：低溫 gb/t 2423.1-2008	只測：低溫度：-70℃，容積： 40cm×37.5cm×40cm
		4	高溫存儲壽命試驗	高溫存儲壽命試驗 jesd22-a103e:2015	只測：高溫度：180℃，容積： 58cm×76cm×75cm
		5	低溫存儲壽命試驗	低溫存儲壽命試驗 jesd22-a119a:2015	只測：低溫度：-70℃，容積： 40cm×37.5cm×40cm

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